[发明专利]互补非易失性存储电路

摘要

在FLOTOX型非易失性存储电路中,若数据写入电压低,即使非易失性存储元件在增强与耗尽状态下的阀值电压间差异小,也能从中高速读出数据。还能增加总的数据可重写次数。电路中,由于用两组能够存储有互补关系的数据的存储元件保存1位数据,即使两元件的阀值电压间差异小,也能从中读出数据。差分读出放大器读数据时,把Data线和DataX线的电位输入放大器的两个输入端,即使小电位差也能检测。因此能读出数据写入深度浅、即耗尽与增强状态间的阀值电压差小的存储元件对中的数据。且即使写入深度浅,由于可从元件对中读出数据,可降低写入电压且减小给隧道氧化膜的应力,增加了总的数据可重写次数。

主权项

1.一种利用FLOTOX(浮栅隧道氧化物)型电可重写存储元件的非易失性存储电路，它包括：第一数据线，它至少经第一单选择晶体管连接到第一非易失性存储元件的漏极；以及第二数据线，它至少经第二单选择晶体管连接到第二非易失性存储元件的漏极；其中：所述第一非易失性存储元件的栅极连接到所述第二非易失性存储元件的所述漏极；所述第二非易失性存储元件的栅极连接到所述第一非易失性存储元件的所述漏极；所述第一数据线同时连接到第一电流负载电路和读出放大器电路的第一输入端；所述第二数据线同时连接到第二电流负载电路和所述读出放大器电路的第二输入端；所述第一非易失性存储元件的源极和所述第二非易失性存储元件的源极都分别经开关晶体管连接到地电位；以及以存储连续构成互补对的正负逻辑状态的方式、同时利用所述第一非易失性存储元件和所述第二非易失性存储元件来存储1位数据。