[发明专利]非挥发性内存的结构及其制造方法

摘要

一种非挥发性内存的制造方法，此方法是先于基底中形成面掺杂区后，于基底上形成一层罩幕层与一层图案化的光阻层。接着，以图案化的光阻层为罩幕，蚀刻罩幕层并于基底中形成复数个沟渠，且这些沟渠将面掺杂区分割，而形成复数条埋入式位线。移除图案化的光阻层后，以罩幕层为罩幕，进行一修补工艺，以修补沟渠其侧壁与底部在蚀刻工艺所受的损坏。然后，去除罩幕层，在基底上形成一介电材质层，并在介电材质层上形成复数条字符线。

主权项

1.一种非挥发性内存的制造方法，其特征为：该方法包括：于一基底中形成一面掺杂区；于该基底上形成一罩幕层与一图案化光阻层；以该图案化光阻层为罩幕，进行一蚀刻工艺，以蚀刻该罩幕层并于该基底中形成复数个沟渠，该些沟渠将该面掺杂区分割，而形成复数条埋入式位线；移除该光阻图案；移除该罩幕层；于该基底上形成一介电材质层；以及于该介电材质层上形成复数条字符线。