[发明专利]化学机械研磨的监控测量方法有效
| 申请号： | 02103154.1 | 申请日： | 2002-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN1435297A | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | 苏俊联;秦启元;卓世耿;陈铭祥;林益世 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B23Q17/20 | 分类号： | B23Q17/20;B23Q15/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民,王刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种监控测量半导体薄膜结构的厚度变化方法，通过半导体上的测试区测量监控在化学机械研磨过程中半导体上元件区薄膜结构的厚度变化，该方法是蚀刻测试区的薄膜结构，使蚀刻后测试区薄膜结构的图案密度实质近似于元件区薄膜结构的图案密度，以利于化学机械研磨工艺中实质仿真该元件区薄膜结构的厚度变化。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 监控 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种监控测量半导体薄膜结构的厚度变化方法，该半导体至少具有一元件区与一测试区，其中该元件区与该测试区具有相同的薄膜结构，且该测试区在化学机械研磨工艺中，用以监控测量该元件区薄膜结构的厚度变化，其特征在于：该方法至少包含以下步骤：计算该元件区薄膜结构的图案密度；蚀刻该测试区的薄膜结构，使蚀刻后该测试区薄膜结构的图案密度实质近似于该元件区薄膜结构的图案密度，以利于化学机械研磨工艺中实质仿真该元件区薄膜结构的厚度变化；以及研磨该半导体，并测量该测试区薄膜结构的厚度变化。
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