[发明专利]减少化学机械研磨工艺缺陷的电路布局及其制造方法有效
申请号: | 02103155.X | 申请日: | 2002-01-31 |
公开(公告)号: | CN1435885A | 公开(公告)日: | 2003-08-13 |
发明(设计)人: | 苏俊联;秦启元;陈铭祥;吴宗显;林益世 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L21/82 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民,王刚 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种减少化学机械研磨工艺缺陷的电路布局及其制造方法,适用于减少化学机械研磨的工艺缺陷,该半导体基板上包含多条第一电路结构与至少两条的第二电路结构,其中第二电路结构用以分别串接多条第一电路结构的前端与后端,以利于化学机械研磨工艺中平均多条第一电路结构的前端与后端的受力面积,减少研磨缺陷的发生。 | ||
搜索关键词: | 减少 化学 机械 研磨 工艺 缺陷 电路 布局 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种位于半导体晶片基板上的电路布局,适用于减少化学机械研磨的工艺缺陷,该半导体基板上具有多条第一电路结构,其特征在于,该电路布局至少包含:至少两条第二电路结构位于该半导体晶片基板上,而且该两条第二电路结构分别串接该多条第一电路结构的前端与后端,以利于化学机械研磨工艺中平均该多条第一电路结构的前端与后端的受力面积,减少研磨缺陷的发生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的