[发明专利]选择性局部自行对准硅化物的制作方法

摘要

一种选择性局部自行对准硅化物的制作方法，首先在间隙较窄的存储单元区上先覆盖一层共形的阻挡层，然后，再于基底上形成另一层阻挡层，以覆盖存储单元区与逻辑电路区。然后，再进行回蚀刻步骤，使欲形成自行对准硅化物的多晶硅栅极与硅基底露出来，仅留下存储单元区的栅极之间的阻挡层，与隔离区上的阻挡层，以选择性地形成局部自行对准硅化物。

主权项

1.一种选择性局部自行对准硅化物的制作方法，其特征为：其步骤包括：提供一基底，该基底上包括一第一元件区与一第二元件区，其中该第一元件区具有一第一凸起与一第一凹陷，该第二元件区具有一第二凸起与一第二凹陷，且该第一凹陷的宽度小于该第二凹陷的宽度；于该基底上形成一第一阻挡层，以覆盖该第一元件区的该第一凸起与该第一凹陷；于该基底上形成一第二阻挡层，以覆盖该第一元件区与该第二元件区，其中覆盖于该第一凹陷的该第一阻挡层与该第二阻挡层的厚度大于覆盖于该第一凸起的该第一阻挡层与该第二阻挡层的厚度；进行回蚀刻，以使该第一凸起的表面、该第二凸起与该第二凹陷的表面裸露出来；于该基底上形成一金属层，以覆盖该第一元件区与该第二元件区；进行一热处理，使该金属层进行一硅化反应，以在该第一凸起、该第二凸起与该第二凹陷的表面上形成一自行对准金属硅化物；以及去除该金属层未参与该硅化反应的部分。