[发明专利]低栅极空乏现象的MOS晶体管的制作方法

摘要

本发明提供一种防止氮化物只读存储器(NROM)中的金属氧化物半导体晶体管发生栅极空乏现象，同时提高该MOS晶体管的栅极驱动能力的制作MOS晶体管的方法。本发明方法先提供一基底表面定义有一存储阵列区以及一周边电路区的半导体芯片，接着在该周边电路区表面上形成一包括有一硅氧层、一非晶硅层以及一锗化硅层的栅极，并在该栅极周围形成该MOS晶体管的侧壁子、源极与漏极。最后在该栅极顶面形成一镍(nickel，Ni)层，并进行一400～500℃的快速加热退火制作工艺，以使该镍层与该栅极顶面的锗化硅层形成一镍硅层。

主权项

1.一种制作MOS晶体管的方法，用以防止氮化物只读存储器(nitridereadonlymemory，NROM)中的金属氧化物半导体(metal-oxidesemiconductor，MOS)晶体管发生栅极空乏(GateDepletion)现象，同时提高该MOS晶体管的栅极驱动能力(gatedrivability)，该方法包括有下列步骤：提供一半导体芯片，且该半导体芯片的基底表面定义有一存储阵列(memoryarray)区以及一周边电路(peripherycircuits)区：在该周边电路区表面上形成一硅氧层；在该硅氧层表面上形成一非晶硅(amorphoussilicon)层；在该非晶硅层表面形成一锗化硅(silicongermanium)层；图案化(patterning)该锗化硅层以及该非晶硅层，以在该基底表面上形成该MOS晶体管的栅极(gate)；在该栅极周围形成一侧壁子；在该基底内形成该MOS晶体管的一源极(source)与一漏极(drain)；在该栅极顶面形成一镍(nickel，Ni)层；以及进行一快速加热退火制作工艺(rapidthermalannealingprocess，RTAprocess)，以使该镍层与该栅极顶面的锗化硅层形成一镍硅层。