[发明专利]制作浅结MOS晶体管的方法

摘要

本发明提供一种在氮化物只读存储器(NROM)中制作浅结(shallowjunction)的金属氧化物半导体(MOS)晶体管的方法。本发明方法是先提供一表面定义有一存储阵列区以及一周边电路区的半导体芯片，接着在该周边电路区表面上形成一包括有一硅氧层以及一锗化硅(silicongermanium)层的栅极(gate)，并在该栅极周围形成该MOS晶体管的侧壁子、源极(source)与漏极(drain)。最后在该源极与该漏极表面形成一镍层，并利用一400～500℃的快速加热退火(RTA)制作工艺，以在该源极与该漏极表面形成一镍硅层，同时使该源极与该漏极得以形成该浅结(shallowjunction)。

主权项

1.一种在氮化物只读存储器(nitridereadonlymemory，NROM)中制作浅结(shallowjunction)的金属氧化物半导体(metal-oxidesemiconductor，MOS)晶体管的方法，该方法包括有下列步骤：提供一半导体芯片，且该半导体芯片的基底表面定义有一存储阵列(memoryarray)区以及一周边电路(peripherycircuits)区；在该周边电路区表面上形成一硅氧层；在该硅氧层表面上形成一锗化硅(silicongermanium)层；图案化(patterning)该锗化硅层以在该基底表面上形成该MOS晶体管的栅极(gate)；在该栅极周围形成一侧壁子；在该基底内形成该MOS晶体管的一源极(source)与一漏极(drain)；在该源极与该漏极表面形成一镍(nickel，Ni)层；以及进行一快速加热退火制作工艺(rapidthermalannealingprocess，RTAprocess)，以使该镍层与该源极与该漏极表面相反应而在该源极与该漏极表面形成一镍硅层。