[发明专利]可降低暗电流的互补式金氧半图像传感器结构及其布局方法无效
| 申请号： | 02103421.4 | 申请日： | 2002-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1437263A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 郑秀渝;金雅琴 | 申请（专利权）人： | 双汉科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L31/00 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种可降低暗电流的互补式金氧半图像传感器结构及其布局方法，其运用重置晶体管栅极的Poly将照光二极管的照光区与场效氧化层转角隔开，以降低因照光区周围与场效氧化层转角的接口所产生的漏电流，并将此Poly的两侧延伸至与相邻像素的Poly连接共享，以扩大照光区的面积，并提高其填满系数。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 电流 互补 式金氧半 图像传感器 结构 及其 布局 方法 | ||
【主权项】：
1、一种可降低暗电流的互补式金氧半图像传感器结构，其特征是，该结构包括：一照光二极管，其接收一光源的照射，并依据该光源的强度反应一照光二极管电位，其中使用一Poly将该照光二极管的一照光区与该图像传感器的场效氧化层转角隔开；一重置晶体管，其重置该照光二极管电位至重置准位；一源极随藕器晶体管，其提供该照光二极管电位的输出电流，以读取该照光二极管电位；以及一输出选择晶体管，其选择是否读取该照光二极管电位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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