[发明专利]有机底部抗反射涂布层的蚀刻方法无效
| 申请号： | 02103423.0 | 申请日： | 2002-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1437073A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 梁明中 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种有机底部抗反射涂布层的蚀刻方法，是依序在基底上形成材质层、有机底部抗反射涂布层与光阻图案后，使用至少包括部分取代氟烷气体的等离子体蚀刻气体对有机底部抗反射涂布层进行蚀刻。其中，部分取代氟烷气体蚀刻有机底部抗反射涂布层，并且于光阻图案侧壁形成氟烷聚合物以防止光阻图案的侧壁被蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 底部 反射 涂布层 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机底部抗反射涂布层的蚀刻方法，其特征为：该方法包括：提供一基底；于该基底上形成一材质层；于该材质层上形成一有机底部抗反射涂布层；于该有机底部抗反射涂布层上形成一光阻图案；以及以至少包括一部分取代氟烷气体的一蚀刻气体对该有机底部抗反射涂布层进行蚀刻，并且该部分取代氟烷气体于该光阻图案的侧壁形成一氟烷聚合物以避免该光阻图案的侧壁被蚀刻。
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