[发明专利]连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成

摘要

一种连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成方法，包括如下步骤：利用金属有机气相化学沉积技术在铟磷衬底上生长铟磷缓冲层、铟镓砷磷下波导限制层、铟磷隔离层、有源区结构、薄层铟镓砷磷上限制层和铟磷保护层；光刻腐蚀出模斑转换器部分；采用等离子体气相沉积技术生长二氧化硅；光刻腐蚀出有源区和模斑转换器区域；利用选择金属有机气相化学沉积技术依次生长铟镓砷磷层，P掺杂的铟磷盖层和铟镓砷磷保护层；生长二氧化硅；光刻出掩埋异质结条型结构；采用金属有机气相化学沉积技术生长p－n－p型铟磷电流阻挡层；腐蚀掉二氧化硅和铟镓砷磷层；生长p型铟磷盖层和P+－铟镓砷接触层；作电极；解理，镀膜。

主权项

1、一种连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成方法，其特征在于，包括如下步骤：1)利用金属有机气相化学沉积技术在铟磷衬底上依次生长铟磷缓冲层、铟镓砷磷下波导限制层、铟磷隔离层、有源区结构、薄层铟镓砷磷上限制层和铟磷保护层；2)采用普通的光刻腐蚀技术将模斑转换器部分刻蚀到铟磷下隔离层；3)采用等离子体气相沉积技术在整个芯片上生长二氧化硅介质膜；4)采用普通的光刻腐蚀技术刻蚀出有源区和模斑转换器需要生长的区域；5)采用盐酸腐蚀掉有源区的铟磷保护层和模斑转换器区的铟磷隔离层；6)利用选择生长金属有机化学气相沉积技术依次生长铟镓砷磷层，P掺杂的铟磷盖层和铟镓砷磷保护层；7)采用等离子体气相沉积技术生长二氧化硅150nm；8)采用普通光刻腐蚀技术刻蚀出掩埋异质结条型结构；9)采用金属有机气相化学沉积技术依次生长p型铟磷、n型铟磷、p型铟磷电流阻挡层；10)采用氢氟酸腐蚀掉条上的二氧化硅，采用硫酸∶水∶双氧水的混合溶液腐蚀掉铟镓砷磷保护层；11)利用金属有机气相化学沉积技术生长p型铟磷盖层和P+-铟镓砷接触层；12)作电极；13)解理，在器件的两个端面上镀光学介质膜。