[发明专利]嵌入式动态随机存取内存的整合自行对准金属硅化物闸极的制造方法

摘要

一种嵌入式动态随机存取内存的整合自行对准金属硅化物闸极的制造方法，于半导体基底上依序形成闸极氧化层、第一复晶硅层、第一遮蔽层及第一硬罩幕层并定义形成闸极结构；于半导体基底上形成源/汲极；于半导体基底上形成第二遮蔽层、衬垫层及第一绝缘层以覆盖闸极结构及源/汲极并定义形成电容器接触开口及位线接触开口；于电容器接触开口及此线接触开口沉积半球形晶粒复晶硅层、介电质层及第二复晶硅层；定义第二复晶硅层以作为电容器上极板；去除第一绝缘层、部分衬垫层、部分第二遮蔽层、第一硬罩幕层及第一遮蔽层以露出此第一复晶硅层的表面；于第一复晶硅层及第二复晶硅层的表面形成金属硅化物；于半导体基底上形成第二硬罩幕层及第二绝缘层；形成钨接触插塞，其穿过内介电层及第二硬罩幕层与位线电性连接。

主权项

1、一种嵌入式动态随机存取内存的整合自行对准金属硅化物闸极的制造方法，其特征是：它包括下列步骤：(1)于半导体基底上依序形成闸极氧化层、第一复晶硅层、第一遮蔽层及第一硬罩幕层；(2)定义该闸极氧化层、第一复晶硅层、第一遮蔽层及第一硬罩幕层，以形成一闸极结构；(3)于该半导体基底上形成源/汲极；(4)于该半导体基底上形成第二遮蔽层、衬垫层及第一绝缘层，以覆盖该闸极结构及该源/汲极；(5)定义该第二遮蔽层、衬垫层及第一绝缘层，以形成电容器接触开口及位线接触开口；(6)于该电容器接触开口及位线接触开口沉积半球形晶粒复晶硅层、介电质层及第二复晶硅层；(7)定义该第二复晶硅层，以作为电容器上极板；(8)去除该第一绝缘层、部分衬垫层、部分第二遮蔽层、第一硬罩幕层及第一遮蔽层，以露出该第一复晶硅层的表面；(9)于该第一复晶硅层及第二复晶硅层的表面形成金属硅化物；(10)于该半导体基底上形成第二硬罩幕层及第二绝缘层；(11)形成钨接触插塞，其穿过该内介电层及第二硬罩幕层，与该位线电性连接。