[发明专利]汲极内具有缺陷区的静电放电保护结构及其制造方法有效
| 申请号： | 02103501.6 | 申请日： | 2002-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1437230A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 詹宜陆;杨富量;许义明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/322;H01L21/82;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种汲极内具有缺陷区的静电放电保护结构，至少包括：一半导体基底；一闸极结构，位于该半导体基底表面；一源/汲极，位于该闸极结构两侧的该半导体基底内；以及一缺陷结构区，位于该汲极内。由于位于该汲极内的该缺陷结构区，能够产生大量漏电流，而能增进该静电放电保护结构的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 汲极内 具有 缺陷 静电 放电 保护 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种汲极内具有缺陷区的静电放电保护结构的制造方法，包括下列步骤：提供具有一闸极结构的一基底；形成一源极区与一汲极区于该闸极结构两侧的该基底内；以及形成一缺陷结构区于该汲极区内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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