[发明专利]钨金属化学气相沉积法中原子层沉积的方法有效
| 申请号： | 02103508.3 | 申请日： | 2002-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1436876A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 吴启明;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/06 | 分类号： | C23C16/06;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种钨金属化学气相沉积法中原子层沉积的方法，包括下列步骤：(a)使用一第一反应气体进行化学气相沉积制程，以形成一第一反应气体原子沉积层；(b)将该第一反应气体作用完的剩余气体抽除；(c)使用一第二含钨反应气体进行化学气相沉积制程，以形成一相对于该第一反应气体原子沉积层的第二含钨反应气体原子沉积层；(d)将该第二含钨反应气体作用完的剩余气体抽除；(e)重复上述(a)至(d)步骤至少一次，形成循环周期；(f)在上述循环周期中，选择于部分周期重复实施步骤(c)和(d)至少一次。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 化学 沉积 原子 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钨金属化学气相沉积法中原子层沉积的方法，包括下列步骤：(a)使用一第一反应气体进行化学气相沉积制程，以形成一第一反应气体原子沉积层；(b)将该第一反应气体作用完的剩余气体抽除；(c)使用一第二含钨反应气体进行化学气相沉积制程，以形成一相对于该第一反应气体原子沉积层的第二含钨反应气体原子沉积层；(d)将该第二含钨反应气体作用完的剩余气体抽除；(e)重复上述(a)至(d)步骤至少一次，形成循环周期；(f)在上述循环周期中，选择于部分周期重复实施步骤(c)和(d)至少一次。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
