[发明专利]高密度堆叠金属电容元件的制造方法有效
| 申请号： | 02103512.1 | 申请日： | 2002-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1437202A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李自强;王是琦;林志贤;黄崎峰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G13/00;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高密度堆叠金属电容元件的制造方法，包括下列步骤：(a)提供一镶嵌有第一金属区块的半导体基底，该基底部分表面露出有该第一金属区块之上表面；(b)全面性地在该半导体基底上方形成第一介电层；(c)选择性地除去该第一介电层，形成露出该第一金属区块的第一开口，以界定出第二金属区块的范围；(d)在该第一开口内填入该第二金属区块，使该第一金属区块与该第二金属区块当作该金属电容元件的下电极；(e)全面性地在该金属电容元件的下电极上方形成第二介电层；(f)选择性地除去该第二介电层，形成露出该金属电容元件下电极表面的第二开口；(g)在该第二开口的底部及侧壁顺应性形成第三介电层，以当作该电容元件的电层；(h)在该第二开口内填入第三金属区块，以当作该电容元件之上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 堆叠 金属 电容 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高密度堆叠金属电容元件的制造方法，其特征是：它包括下列步骤：(a)提供一镶嵌有第一金属区块的半导体基底，该基底部分表面露出有该第一金属区块的上表面；(b)全面性地在该半导体基底上方形成第一介电层；(c)选择性地除去该第一介电层，而形成露出该第一金属区块的第一开口，以界定出第二金属区块的范围；(d)在该第一开口内填入该第二金属区块，使该第一金属区块与该第二金属区块当作该金属电容元件的下电极；(e)全面性地在该金属电容元件的下电极上方形成第二介电层；(f)选择性地除去该第二介电层，而形成露出该金属电容元件下电极表面的第二开口；(g)在该第二开口的底部及侧壁顺应性形成第三介电层，以当作该电容元件的介电层；(h)在该第二开口内填入第三金属区块，以当作该电容元件的上电极。
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