[发明专利]主动式互补金氧半导体像素装置及其制造方法

摘要

一种主动式互补金氧半导体像素装置，包括：一基底、一浮接闸极层及一控制闸极层。其中，基底具有一井区以及位于井区中之第一与第二掺杂区，井区、第一及第二掺杂区均露出基底表面且第一及第二掺杂区相互分离，井区具有一第一极性而第一及第二掺杂区具有一第二极性。浮接闸极层设于井区与第二掺杂区在基底表面之交界处上方，并且与井区及第二掺杂区绝缘而与第一掺杂区电性接触。控制闸极层设于浮接闸极层上方并且与浮接闸极层绝缘。

主权项

1.一种主动式互补金氧半导体像素装置，其特征在于包括：一基底，具有一井区以及位于该井区中之一第一与第二掺杂区，该井区、第一及第二掺杂区均露出该基底表面且第一及第二掺杂区相互分离，其中该井区具有一第一极性而该第一及第二掺杂区具有一第二极性；一浮接闸极层，设于该井区与第二掺杂区在该基底表面之交界处上方，并且与该井区及第二掺杂区绝缘而与该第一掺杂区电性接触；以及一控制闸极层，设于该浮接闸极层上方并且与该浮接闸极层绝缘。