[发明专利]光掩模的修正方法和半导体器件的制造方法

摘要

光掩模修正方法包括准备具有包含相移图形的掩模图形的光掩模衬底、除去掩模图形的一部分形成参照孔、从离子束源向含有参照孔的区域照射离子束使二次带电粒子从上述参照孔发射出来、用检测器检测二次带电粒子识别参照孔位置、计算参照孔位置与掩模图形缺陷位置的关系、根据位置关系从离子束源向缺陷照射离子束修正缺陷,从对于光掩模衬底的上表面垂直的方向看的参照孔的图形是长方形,其长边方向与相移图形的长边方向平行。

主权项

1.一种光掩模的修正方法，由下述工序构成：准备具有包含相移图形的掩模图形的光掩模衬底的工序，采用除去上述掩模图形的一部分的办法形成参照孔的工序，从离子束源向含有参照孔的区域照射离子束使二次带电粒子从上述参照孔发射出来的工序，采用用检测器检测上述二次带电粒子的办法识别上述参照孔的位置的工序，计算上述所识别的参照孔的位置与上述掩模图形的缺陷位置之间的位置关系的工序，采用根据上述计算出来的位置关系从上述离子束源向上述缺陷照射离子束的办法对上述缺陷进行修正的工序，且从相对于上述光掩模衬底的上表面垂直的方向看的上述参照孔的图形，实质上是长方形，而且，上述长方形图形的长边方向与上述相移图形的长边方向是平行的。