[发明专利]记忆性半导体存储器

摘要

一种记忆性半导体存储器。为提供一种节省芯片上空间、控制闸极的宽度不受光学微影术限制的半导体信息存储装置，提出本发明，它包括半导体基板、相隔设置于半导体基板上的位元区、源极区、信道、浮动闸极、控制闸极、形成于位元区与源极区间的半导体基板上的第一介电层；浮动闸极呈上尖下宽的中空火山口状；依浮动闸极设有覆盖于浮动闸极上方周围的第二介电层及与第二介电层结合的第三介电层；其中第二介电层顺应性地覆盖浮动闸极的火山口内侧及外侧，且第三介电层的高度低于浮动闸极的尖端；浮动闸极的底面与下方的源极区部分重叠；控制闸极设置于第二、三介电层上。

主权项

1、一种记忆性半导体存储器，它包括半导体基板、相隔设置于半导体基板上的位元区、源极区、信道、浮动闸极、控制闸极、形成于位元区与源极区间的半导体基板上的第一介电层；其特征在于所述的浮动闸极呈上尖下宽的中空火山口状；依浮动闸极设有覆盖于浮动闸极上方周围的第二介电层及与第二介电层结合的第三介电层；其中第二介电层顺应性地覆盖浮动闸极的火山口内侧及外侧，且第三介电层的高度低于浮动闸极的尖端；浮动闸极的底面与下方的源极区部分重叠；控制闸极设置于第二、三介电层上。