[发明专利]闸极组件及其制造方法有效
| 申请号： | 02103596.2 | 申请日： | 2002-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1437269A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 郭治群 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘领弟 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种闸极组件及其制造方法。为提供一种使MOS晶体管配合组件尺寸缩小化、提高组件积集度及性能的半导体组件及其制造方法，提出本发明，闸极组件包括包括基底、形成于基底表面的高介电常数的闸极介电层、形成于闸极介电层表面的闸极、形成于闸极的侧壁低介电常数的闲置间隔物及形成于闲置间隔物的侧壁的主间隔物；制造方法包括在半导体基底形成高介电常数的介电层、于介电层上形成导电层、定义导电层并与高介电常数的介电层以分别形成闸极及闸极介电层、于闸极侧壁形成低介电常数的闲置间隔物及于闲置间隔物的侧壁形成主间隔物。 | ||
| 搜索关键词： | 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种闸极组件，它包括包括基底、形成于基底表面的闸极介电层、形成于闸极介电层表面的闸极、形成于闸极的侧壁的闲置间隔物及形成于闲置间隔物的侧壁的主间隔物；其特征在于所述的闸极介电层为高介电常数的闸极介电层；闲置间隔物为低介电常数的闲置间隔物。
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