[发明专利]改善双嵌入式层间金属介电层表面平坦度的方法

摘要

一种改善双嵌入式层间金属介电层表面平坦度的方法，适用于一半导体基底，上述基底表面具有金属线路，包括：依序沉积一金属密封层、一层间金属介电层、一保护牺牲层及一硬质罩幕层于上述金属导线上；定义去除上述硬质罩慕层及上述保护牺牲层，形成第一开口于上述层间金属介电层上；定义去除上述层间金属介电层，形成第二开口于上述层间金属介电层内部且未露出上述金属导线路，其中上述第二开口系位于上述第一开口内且对准上述金属导线路；去除上述硬质罩幕层及部分上述层间金属介电层，同时形成导线沟槽及接触通孔，使上述接触通孔底部露出于金属线路，且上述层间金属介电层构成阶梯型(或T型)剖面轮廓；去除上述保护牺牲层，露出上述层间金属介电层表面；形成一金属阻碍层于上述层间金属介电层、上述导线沟槽及上述接触通孔上；以及填充金属于上述导线沟槽及上述接触通孔内，且与上述金属线路接合。

主权项

1.一种改善双嵌入式层间金属介电层表面平坦度的方法，适用于一半导体基底，上述基底表面具有金属导线路，包括：依序沉积一金属密封层、一层间金属介电层、一保护牺牲层及一硬质罩慕层于上述金属导线路上；定义去除上述硬质罩幕层及上述保护牺牲层，形成第一开口于上述层间金属介电层上；定义去除上述层间金属介电层，形成第二开口于上述层间金属介电层内部且未露出上述金属导线路，其中上述第二开口是位于上述第一开口内，对准上述金属导线路；去除上述硬质罩幕层及部分上述层间金属介电层，同时形成导线沟槽及接触通孔，使上述接触通孔底部露出金属导线路，且上述层间金属介电层构成阶梯型(或T型)剖面轮廓；去除上述保护牺牲层，露出上述层间金属介电层表面；形成一金属阻碍层于上述层间金属介电层、上述导线沟槽及上述接触通孔上；以及填充金属于上述导线沟槽及上述接触通孔内，且与上述金属导线路接合。