[发明专利]一种荷正电膜及其制造方法无效
申请号: | 02103750.7 | 申请日: | 2002-03-18 |
公开(公告)号: | CN1156335C | 公开(公告)日: | 2004-07-07 |
发明(设计)人: | 杜启云;汪勇 | 申请(专利权)人: | 天津膜天膜工程技术有限公司 |
主分类号: | B01D71/42 | 分类号: | B01D71/42 |
代理公司: | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人: | 李济群 |
地址: | 300160*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种荷正电膜及其制造方法。该荷正电膜以普通成膜材料为主要成分,以荷正电材料为功能成分,其特征在于所述荷正电材料是聚丙烯酸氨基酯类聚合物,该功能成分与主要成分的重量百分比配方是:聚丙烯酸氨基酯类聚合物10-30%;成膜材料90-70%,并且所述的两种组分具有互穿网状结构。本发明所述荷正电膜的制造方法是,依次包括聚合工艺、铸膜液配置工艺、交联工艺和制膜工艺,其特征在于所述的铸膜液配置工艺是采用丙烯酸氨基酯类聚合物和成膜材料同时加入的共混工艺,其加入量不超过铸膜液总量的15%。 | ||
搜索关键词: | 一种 正电 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种荷正电膜,它以普通成膜材料为主要成分,以荷正电材料为功能成分,其特征在于所述荷正电材料是聚丙烯酸氨基酯类聚合物,该功能成分与主要成分的重量百分比配方是:聚丙烯酸氨基酯类聚合物 10-30%;成膜材料 90-70%,并且所述的两种组分具有互穿交联网状结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津膜天膜工程技术有限公司,未经天津膜天膜工程技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02103750.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。