[发明专利]一种聚酰亚胺基板的铜金属化方法无效
申请号: | 02104076.1 | 申请日: | 2002-03-08 |
公开(公告)号: | CN1382830A | 公开(公告)日: | 2002-12-04 |
发明(设计)人: | 梁彤祥;刘杨秋;倪晓军;符晓铭;付志强 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种聚酰亚胺基板的铜金属化方法,涉及微电子封装技术。本发明的特征是以乙酰丙酮铜有机金属化合物为前驱体,采用化学气相沉积法进行铜金属化。其制备方法为首先将聚酰亚胺基板表面进行抛光清洗;利用溅射镀膜法在上述处理后的基板表面沉积TiN非晶层;以N2为载气,其流量170-350ml/min,以H2为反应气体,其流量为400-700ml/min,利用化学气相沉积法在TiN非晶层上制备Cu膜,沉积反应温度为220-280℃,前驱体挥发温度为180-270℃。利用本铜金属化方法,其Cu膜电阻率低,抗电迁移能力好,结合强度大,完全满足电子封装基板需要。 | ||
搜索关键词: | 一种 聚酰亚胺 金属化 方法 | ||
【主权项】:
1、一种聚酰亚胺基板的铜金属化方法,以聚酰亚胺为基板,其特征在于:以乙酰丙酮铜有机金属化合物为前驱体,采用化学气相沉积法进行铜金属化。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的