[发明专利]具有单相单向结构的声表面波扇形滤波器无效
| 申请号： | 02104118.0 | 申请日： | 2002-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1442951A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李红浪;何世堂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | H03H9/64 | 分类号： | H03H9/64 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有单相单向结构的声表面波扇形滤波器，包括：在压电基片上沿声波传播方向上有两个采用半导体平面工艺制作的扇形换能器，所述的扇形换能器采用谐振式单相单向结构，该扇形换能器沿声表面波方向分为任意个副滤波器，其中副滤波器之间采用串联、并联或串、并联混合相连。该扇形滤波器在器件尺寸一定情况下，与常规的单相单向扇形换能器相比实现大约两倍普通换能器长才能实现的矩形系数；当器件矩形系数一定的情况下，器件中扇形换能器长度可以减小一半。与常规的谐振式单相单向滤波器相比，常规谐振式单相单向滤波器相对带宽通常小于10％，谐振式单相单向扇形滤波器继承了扇形滤波器的优点，能够实现更宽的带宽，带宽可达到30％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单相 单向 结构 表面波 扇形 滤波器 | ||
【主权项】：
1.一种具有单相单向结构的声表面波扇形滤波器，包括：在压电基片上沿声波传播方向上有两个采用半导体平面工艺制作的扇形换能器，其特征在于：所述的扇形换能器采用谐振式单相单向结构，该扇形换能器沿声表面波方向分为任意个副滤波器，其中副滤波器之间采用串联、并联或串、并联混合相连。
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