[发明专利]一种合成纳米硅线阵列的方法

摘要

一种纳米硅线阵列的合成方法，涉及一种纳米材料的制备方法，属于纳米材料的制备与应用技术领域。本发明的特征是将单晶硅片置入盛有(0.2-15)mol/l氢氟酸和(0.005-0.10)mol/l硝酸银反应溶液的水热釜中，然后在30-80℃密闭的釜中处理30-150分钟，即可直接在硅片上合成大面积纳米硅线阵列。本制备方法中也可加入(0.02-0.10)mol/l硝酸镍。本制备方法中加入氢氟酸和硝酸银，其作用是为了产生纳米硅线，硝酸镍则对纳米硅线阵列起改善作用。用本方法合成大面积纳米硅线阵列，制备条件简单，不需要高温，不需要复杂设备，制备成本低。本发明制备的纳米硅线阵列可应用于微电子行业。

主权项

1、一种合成纳米硅线阵列的方法，其特征在于：该方法是将单晶硅片置入氢氟酸和硝酸银配制的反应溶液中在密闭的反应釜中直接合成纳米硅线阵列，其制备方法依次包括以下步骤：(1)配制反应溶液，溶液中含有氢氟酸和硝酸银，其浓度分别为(0.2-15)mol/L和(0.005-0.10)mol/L；(2)将经过清洗液超声清洗过的硅片浸入盛有上述配制的反应溶液的水热釜中，封釜，装满度为60-90％；(3)将上述水热釜放入烘箱，在30-80℃处理30-150分钟；(4)取出釜并待釜冷却后，取出硅片，经去离子水清洗后，自然晾干，获得纳米硅线阵列。