[发明专利]高性能半导体存储设备无效
| 申请号： | 02104498.8 | 申请日： | 2002-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1421861A | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 萧正杰 | 申请（专利权）人： | 萧正杰 |
| 主分类号： | G11C5/00 | 分类号： | G11C5/00;G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 | 代理人： | 张应 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 通过采用均比多层结构(ESMLA)，同时使用块选通排列，可以实现高性能的存储器设备。通过单位线写入机制，我们可以将静态存储器设备的位线数量减少50％。所生产的存储器设备，其速度可与寄存器堆相同，但其面积却小于已有技术条件下的高密度存储器设备。在未来的集成电路制造技术中，这种存储器结构的比例变化方式也确保了该存储器设备的速度可以与逻辑电路相同的速度增长。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 半导体 存储 设备 | ||
【主权项】：
1.一个包含复数个存储块MB(i)的存储器设备，其中i＝1，2，3，...N，N为正整数；每一个存储块又由复数个存储单元组成，其中：每一个所述存储块均包含复数个字线WL(i，j)和位线BL(i，k)，用于访问所述存储单元，此处j＝1，2，3...J，k＝1，2，3...K，J和K均为正整数。并且所述存储器设备还包含有复数个读出设备WS(k)，k＝1，2，3，...K，连接各个WS(k)以便能够检测各个存储块MB(i)中的位线BL(i，k)上存储单元中储存的数据。
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