[发明专利]一种静电放电防护组件及静电放电防护电路有效
申请号: | 02104721.9 | 申请日: | 2002-02-09 |
公开(公告)号: | CN1437258A | 公开(公告)日: | 2003-08-20 |
发明(设计)人: | 柯明道;张恒祥;王文泰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L27/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 潘培坤,陈红 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有深井区结构的静电放电(ESD)防护组件及相关的ESD防护电路,ESD防护组件设于一耦合至一相对低电压源的P型基底上,其包含有一侧向硅控整流器及一深N型井,侧向硅控整流器有一p型层、一N型层、一第一N型井以及一第一P型井,该p型层作为该SCR的一阳极,该N型层作为该SCR的一阴极,该第一N型井设于该p型层与该N型层之间,邻接至该p型层,该第一P型井邻接至该N型层与该第一N型井,该深N型井设于该第一P型井与该P型基底之间,用以隔绝该第一P型井至该P型基底之间的电连接。本发明的ESD防护组件可以被自由的串接多个,以提高ESD防护电路的总持守电压,并预防栓锁事件的发生。 | ||
搜索关键词: | 一种 静电 放电 防护 组件 电路 | ||
【主权项】:
1.一种静电放电防护组件,设于一耦合至一相对低电压源的P型基底,其特征在于:包含有:一侧向硅控整流器SCR,其包含有:一p型层,作为该SCR的一阳极;一N型层,作为该SCR的一阴极;一第一N型井,设于该p型层与该N型层之间,邻接至该p型层;以及一第一P型井,邻接至该N型层与该第一N型井;以及一深N型井,设于该第一P型井与该P型基底之间,用以隔绝该第一P型井至该P型基底的电连接。
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