[发明专利]多晶硅间介电层的制造方法有效
| 申请号： | 02104780.4 | 申请日： | 2002-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1440056A | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 张国华 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/285;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种多晶硅间介电层的制造方法，此方法首先提供一基底，其中基底上已形成有一第一多晶硅层。接着在第一多晶硅层上形成一多晶硅间介电层，而形成此多晶硅间介电层的方法利用一氩气/氧气/氨气等离子体、一氪气/氧气/氨气等离子体、一氩气/氧气等离子体或一氪气/氧气等离子体而形成的。之后，再于多晶硅间介电层上形成一第二多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅间介电层 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅间介电层的制造方法，其特征是，该方法包括下列步骤：提供一基底，该基底上已形成有一第一多晶硅层；在该第一多晶硅层上形成一多晶硅间介电层，其中形成该多晶硅间介电层的方法是利用一惰性气体与氧气/氨气的混合气体作为一等离子体的气体来源而形成的；以及在该多晶硅间介电层上形成一第二多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
