[发明专利]熔盐提拉法生长LBO晶体无效
| 申请号： | 02104916.5 | 申请日： | 2002-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1443878A | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 王国富;林州斌;胡祖树;何美云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B9/12;C30B29/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 3500*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 熔盐提拉法生长LBO晶体涉及一种生长LBO(LiB3O5，三硼酸锂)晶体的新工艺技术。采用一种改进的助熔剂生长方法——熔盐提拉法，即用助熔剂法结合提拉技术来生长LBO晶体。该方法采用30～80wt.％的B2O3或Li2MoO4为助熔剂，加入0.1～5wt.％的LiF或KF或NaF或Li2MoO4等为添加剂，降温速率为0.5～3℃/天，转速为5～30转/分钟，提拉速度为0.3～3mm/天。生长周期比传统的LBO生长方法缩短了约50％，得到的晶体最大尺寸达φ80×35mm，生长成本降低了30％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 熔盐提拉法 生长 lbo 晶体 | ||
【主权项】：
1.熔盐提拉法生长LBO晶体，是将助熔剂法和提拉法结合起来，用于快速生长LBO晶体的方法，其特征在于：用B2O3或Li2MoO4作助熔剂，其加入量为30～80wt.％；在熔液中加入0.1～5wt.％的LiF或KF或NaF或Li2MoO4等为添加剂；降温速率为0.5～3℃/天；提拉速度为0.3～3mm/天；转速为5～30转/分钟。
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