[发明专利]一种快速存储器的浮置栅制造方法及其结构

摘要

一种快速存储器的浮置栅具有高电容耦合率且可自动对准扩散的制造方法及结构。首先，提供一基底，该基底中具有第一沟槽，以形成一第一绝缘物在该第一沟槽内，且该第一绝缘物突出该基底表面，并在该基底上形成一第二沟槽。其次，于该基底表面形成一第二绝缘层，以及在该第一绝缘物及该第二绝缘层表面，顺应性地形成一第一导体层。接下来，形成侧壁间隔物于该第二沟槽两侧之该第一导体层上，形成一第二导体层在该侧壁间隔物及该第一导体层表面上。最后，同时去除部分该第二导体层及部分该第一导体层，以形成插塞导体层在该侧壁间隔物之间及衬垫导体层在该第二沟槽表面。

主权项

1.一种快速存储器的浮置栅制造方法，包括以下步骤：提供一基底，该基底中具有第一沟槽；形成一第一绝缘物在该第一沟槽内，且该第一绝缘物突出该基底表面，并在该基底上形成第二沟槽；在该基底表面依序形成一第二绝缘层、一第一导体层及牺牲绝缘层；去除部分牺牲绝缘层，形成侧壁间隔物于该第二沟槽两侧的该第一导体层上；形成一第二导体层在该侧壁间隔物及该第一导体层表面上；以及同时去除部分该第二导体层及部分该第一导体层，以形成插塞导体层在该侧壁间隔物之间，及衬垫导体层在该第二沟槽表面。