[发明专利]具掺杂的铜内联结构的制造方法

摘要

本发明涉及一种具掺杂的铜内联结构的制造方法，用于省去在铜内联结构制造过程中额外形成的铜保护层或蚀刻终止层(etchstoplayer)及扩散屏蔽层(diffusionbarrierlayer)。首先将掺杂有镁、银、钛、锆、锡、锌、碳的至少一种元素的金属铜填入沟槽或介层洞或双镶嵌结构，以作为内联结构(interconnect)。接着，对金属铜实施一退火(anneal)处理，将掺杂元素扩散至金属铜表面并形成一氧化层，来作为铜保护层、蚀刻终止层及扩散屏蔽层，进而防止金属铜氧化、光阻毒化(poison)并简化制作过程步骤。

主权项

1.一种具掺杂的铜内联结构的制造方法，包括下列步骤：在一半导体基底上形成一第一介电层，其中所述第一介电层具有沟槽或介层洞或双镶嵌结构；在所述第一介电层上及所述沟槽或所述介层洞或所述双镶嵌结构内填入具有掺杂元素的金属铜，以作为内联结构；对所述金属铜实施一退火处理，以在所述金属铜表面形成一氧化层；以及蚀刻去除形成有所述氧化层的金属铜至露出所述第一介电层表面，来在所述沟槽内留下所述金属铜，并同时在所述金属铜表面上形成所述氧化层。