[发明专利]具有高载子迁移率芯片的制造方法有效
| 申请号： | 02105020.1 | 申请日： | 2002-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1438675A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 史望澄;丁文琪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤,陈红 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高载子迁移率芯片的制造方法，首先在绝缘层覆硅芯片的第一硅层上磊晶第一硅锗层，此时第一硅锗层的晶格为伸张态，之后使伸张态的第一硅锗层转变成松弛态，继续于松弛态的第一硅锗层上磊晶第二硅锗层，此时第二硅锗层的晶格为松弛态，最后于第二硅锗层上磊晶第二硅层，此时第二硅层的晶格呈伸张态。本方法简单，且可以降低制造成本及制造时间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高载子 迁移率 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有高载子迁移率芯片的制造方法，包括：提供一芯片，所述芯片为由一第一硅层、一绝缘层和一硅主体层所堆栈而成，其特征在于，所述第一硅层的晶格呈松弛态；在所述第一硅层上磊晶一第一硅锗层，所述第一硅锗层的晶格为伸张态；使伸张态的所述第一硅锗层转变成松弛态；在松弛态的所述第一硅锗层上磊晶一第二硅锗层，所述第二硅锗层的晶格为松弛态；以及在所述第二硅锗层上磊晶一第二硅层，所述第二硅层的晶格呈伸张态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
