[发明专利]一种二极管结构及其静电放电防护电路有效
| 申请号： | 02105023.6 | 申请日： | 2002-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1438705A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 柯明道;张恒祥;王文泰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤,陈红 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种二极管以及相关的静电放电防护电路，该二极管包含有一第一导电性型的第一半导体层以及一第二导电型的MOS晶体管，该第一半导体层作为该二极管之一第一电极，该MOS晶体管，包含有一环型闸、一第二导电型的第一源/汲掺杂区以及一第二导电型的第二源/汲掺杂区，该环型闸绝缘地设于该第一半导体层上，以阻隔STI厚氧化层的生成，该第一源/汲掺杂区形成于该环型闸极所围绕的该第一半导体层的表面，作为该二极管之一第二电极，该第二导电型的第二源/汲掺杂区形成于该第一半导体层的表面，且围绕该环型闸，该第一电极与该第二电极其中之一为该二极管之一阴极，耦合至一第一接合垫，该第一电极与该第二电极其中的另一为该二极管之一阳极，耦合至一第二接合垫。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 结构 及其 静电 放电 防护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电防护电路，适用于一集成电路芯片，包含有一二极管，其特征在于：包含有：一第一导电性型的第一半导体层，作为一第一电极；以及一第二导电型的MOS晶体管，包含有：一环型闸，绝缘的设于该第一半导体层上；一第二导电型的第一源/汲掺杂区，形成于该环型闸极所围绕的该第一半导体层的表面，作为一第二电极；以及一第二导电型的第二源/汲掺杂区，形成于该第一半导体层的表面，且围绕该环型闸。其中，该第一电极与该第二电极其中之一为该二极管的一阴极，耦合至一第一接合垫，该第一电极与该第二电极其中的另一为该二极管的一阳极，耦合至一第二接合垫。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02105023.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：二次冷媒电冰箱
- 下一篇：活瓣式桩靴筒桩成孔器及无预制桩靴筒桩施工方法
