[发明专利]在半导体晶片上生长薄膜的蒸发法无效
| 申请号： | 02105259.X | 申请日： | 2002-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1440050A | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 朴胜甲 | 申请（专利权）人： | 阿托株式会社;朴胜甲 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/31;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种在半导体晶片上生长薄膜的蒸发法，能够减少在晶片处理室内的加热时间并能提高生产效率及产量，而无需设置附加的处理室。在制作半导体的过程中，将被容纳于ATM单元的晶片盒内的半导体晶片放置在装载室内的加热块单元上。由装载室内的加热块单元将晶片预热到预定的温度。在将晶片布置在晶片处理室内的加热块单元的上部之后，将已预热的晶片加热到预定的处理温度。然后，在被加热的晶片表面上形成薄膜。将带有薄膜的晶片置于卸载室内。再从卸载室移送晶片，之后在晶片盒内继续装载晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 生长 薄膜 蒸发 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体晶片上生长薄膜的蒸发法，其特征在于，包括以下步骤：(S1)将预先被容纳于ATM单元的晶片盒内的晶片放置在装载室内的加热块单元上；(S2)由装载室内的加热块单元将晶片预热到预定的温度；(S3)在将晶片布置在晶片处理室内的加热块单元的上部之后，将已预热的晶片加热到预定的处理温度；(S4)在被加热的晶片表面上生长薄膜；(S5)生长薄膜之后，将晶片置于卸载室内；(S6)从卸载室移送晶片，之后在晶片盒内继续装载晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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