[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02105264.6 | 申请日： | 2002-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1366341A | 公开（公告）日： | 2002-08-28 |
| 发明（设计）人： | 浜田崇;村上智史;山崎舜平;中村理;梶尾诚之;肥塚纯一;高山彻 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/78;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明特征在于,在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上,形成含稀有气体元素的半导体膜,并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且,在第一n－沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n－沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p－沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一n-沟道TFT，设在衬底上；第二n-沟道TFT，设在上述衬底上；上述衬底上的p-沟道TFT；第一杂质区域和第二杂质区域，设在第一n-沟道TFT的半导体层中，和栅极外；第三杂质区域，设在第二n-沟道TFT的半导体层中，且设置成与栅极部分重叠，第三杂质区域设在栅极外；第四杂质区域，设在p-沟道TFT的半导体层中，且设置成与栅极部分重叠；和第五杂质区域，设在p-沟道TFT的半导体层中，且设在栅极外的衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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