[发明专利]磁阻效应元件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 02105298.0 申请日: 2002-01-22
公开(公告)号: CN1367544A 公开(公告)日: 2002-09-04
发明(设计)人: 平本雅祥;小田川明弘;松川望;饭岛贤二;榊间博 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L41/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 魏金玺,杨丽琴
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供磁阻效应元件,该元件含有中间层和夹持上述中间层的一对磁性层,上述中间层含有从2~17族中选出的至少3种元素,上述元素含有从F、O、N、C和B中选出的至少1种元素。根据本发明,可提供具有高磁阻变化率和低电阻的磁阻效应元件。本发明还提供磁阻效应元件的制造方法,该方法包括使前体成膜的工序、和在含有从氧原子、氮原子和碳原子中选出的至少一种反应种子的反应气氛中,使上述前体和上述反应种子进行反应从而形成上述中间层的至少一部分的工序。
搜索关键词: 磁阻 效应 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种磁阻效应元件,其特征是:它含有中间层和夹持该中间层的一对磁性层,上述中间层含有从2~17族中选出的至少3种元素,上述元素含有从F、O、N、C和B中选出的至少1种元素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02105298.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top