[发明专利]半导体发光元件无效

专利信息
申请号: 02105300.6 申请日: 2002-01-25
公开(公告)号: CN1367542A 公开(公告)日: 2002-09-04
发明(设计)人: 菅原秀人;新田康一;佐伯亮;近藤且章;岩本昌伸 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种半导体发光元件,不需要复杂的制造工序和制造技术就可大幅度提高光取出效率。该半导体发光元件,具有活性层(通过注入电流产生第一发光);吸收发光部(吸收所述第一发光的一部分、产生中心波长比所述第一发光的长的第二发光)。所述第一发光的中心波长和所述第二发光的中心波长之差,在其混合光的发光光谱不丧失单峰性的范围内或在第一发光L1的光谱的半值宽度的0.9倍以下的范围内。
搜索关键词: 半导体 发光 元件
【主权项】:
1.一种半导体发光元件,包括:通过注入电流产生第一发光的活性层;以及吸收所述第一发光的一部分、产生中心波长比所述第一发光的长的第二发光的吸收发光部。
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