[发明专利]结合自我对准接触制程以及自我对准硅化物制程的方法

摘要

本发明公开了一种结合自我对准接触制程以及自我对准硅化物制程的方法，包括下列步骤：首先提供一半导体基底，其表面定义成一内存区以及一周边区，该内存区与该周边区分别包含有复数个掺杂之闸极以及源/汲极区；然后，蚀刻去除该闸极，直至一预定闸极高度；跟着，进行一自我对准金属硅化物(salicide)制程，以于该闸极表面以及该周边区之源/汲极区表面上形成一金属硅化物；然后，于该闸极表面的金属硅化物上形成一闸极覆盖层，再于该半导体基底表面上覆盖至少一层间介电层；最后进行一自我对准接触(self－alignedcontact)之蚀刻制程，将该内存区之两闸极之间的源/汲极区表面曝露出来，以形成一接触洞。

主权项

1.一种结合自我对准接触制程以及自我对准硅化物制程的方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，其表面定义形成一内存区以及一周边区，该内存区与该周边区分别包含有多个掺杂的闸极以及源/汲极区；于该半导体基底表面形成一氧化层以覆盖住该多个闸极表面，再于该多个闸极侧壁上形成侧壁子；于该半导体基底表面形成一阻挡层以及一缓冲层，以填满内存区的二闸极间的空隙；将该闸极顶部的阻挡层与缓冲层去除，以使该闸极顶部的氧化层曝露出来，并使该周边区的半导体基底表面的氧化层曝露出来；蚀刻去除该曝露的氧化层以及该闸极，直至一预定闸极高度；进行一自我对准金属硅化物(salicide)制程，以于该闸极表面以及该周边区之源/汲极区表面上形成一金属硅化物；在该闸极表面的金属硅化物上形成一闸极覆盖层；在该半导体基底表面上覆盖一层间介电层；以及进行一自我对准接触(self-alignedcontact)的蚀刻制程，将该内存区的两闸极之间的源/汲极区表面曝露出来，以形成一接触洞。