[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开一种制造具有高电场迁移率的薄膜晶体管的方法,包括在绝缘衬底上形成非晶硅层和阻挡层;在阻挡层上形成具有第一、二构图的光致抗蚀剂层;以第一光致抗蚀剂构图为掩膜蚀刻阻挡层,形成第一、二阻挡层构图;回流光致抗蚀剂层,使第一、二光致抗蚀剂构图互相邻接,完全覆盖阻挡层构图;在衬底整个表面上形成金属层;除去光致抗蚀剂层,露出阻挡层和阻挡层与金属层间的偏置区;非晶硅层结晶成多晶硅层,其中接触第一金属层的部分用金属诱导结晶法,其余部分用金属诱导横向结晶法,使两个阻挡层构图间的多晶硅层的部分上存在金属诱导横向结晶前缘;以阻挡层构图为掩膜蚀刻多晶硅层,形成两个半导体层,除去结晶前缘;以及除去阻挡层构图。

主权项

1.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：a)在一块绝缘衬底上形成一个非晶硅层和一个阻挡层；b)在该阻挡层上形成一个具有第一和第二个光致抗蚀剂构图的一个光致抗蚀剂层，该第一和第二个光致抗蚀剂构图彼此隔开；c)利用第一个光致抗蚀剂构图作为掩膜，蚀刻该阻挡层，形成第一和第二个阻挡层构图；d)使该光致抗蚀剂层回流，使得该第一和第二个光致抗蚀剂构图彼此邻接，以完全覆盖该第一和第二个阻挡层构图；e)在该绝缘衬底的整个第一表面上形成一个金属层；f)除去该光致抗蚀剂层，露出该阻挡层和该阻挡层与金属层之间的偏置区域；g)使该非晶硅层结晶，以形成一个多晶硅层金属诱导横向结晶前缘；h)利用该第一和第二个阻挡层构图作为掩膜，蚀刻该多晶硅层，以形成第一和第二个半导体层，并除去该金属诱导横向结晶前缘；以及i)除去该第一和第二个阻挡层构图。