[发明专利]具有双字线结构的半导体存储器件无效
申请号: | 02105534.3 | 申请日: | 1995-09-30 |
公开(公告)号: | CN1525569A | 公开(公告)日: | 2004-09-01 |
发明(设计)人: | 杉林直彦;宇津木智;成竹功夫 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;G11C11/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 半导体存储器装置中包括:多条子字线(SWL1、SWL2......),每一个都与子字线相连的多个子字解码器(SWD1、SWD2......),每一对都与若干个子字解码器相连接的多对主字线(MWLT、MWLF),以及每一个都与这些主字线对之一相连的多个主字解码器(MWD’1)。在选择模式中,主字线解码器的第一个使得主字线对的不同的对之间的电压彼此不同,而在非选择模式中,使得主字线对的不同的对上的电压彼此相同。 | ||
搜索关键词: | 具有 双字线 结构 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器装置,它包括:多个子字线(SWL1、SWL2......);多个子字解码器SWD1、SWD2......)每一个都与所说的子字线之一相连接;多对主字线(MWLT、MWLF)、每一对与若干所说的子字线解码器相连接;以及,多个主字解码器(MWD’1),其特征在于,每一个所说的主字解码器都包括一熔断丝(5111)的熔断丝电路(511),每一个所说的主字解码器都与所说的主字线对之一连接,所说主字解码器的每一个包括一个电压设定装置,所述电压设定装置在一个选择模式中设定所说主字线对的各个对上的电压彼此互不相同,而在一非选择模式中使得所说主字线对的各个对上的电压彼此相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司,未经恩益禧电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02105534.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置及半导体装置的制造方法
- 下一篇:半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的