[发明专利]具有双字线结构的半导体存储器件无效

专利信息
申请号: 02105534.3 申请日: 1995-09-30
公开(公告)号: CN1525569A 公开(公告)日: 2004-09-01
发明(设计)人: 杉林直彦;宇津木智;成竹功夫 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;G11C11/34
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 梁永
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 半导体存储器装置中包括:多条子字线(SWL1、SWL2......),每一个都与子字线相连的多个子字解码器(SWD1、SWD2......),每一对都与若干个子字解码器相连接的多对主字线(MWLT、MWLF),以及每一个都与这些主字线对之一相连的多个主字解码器(MWD’1)。在选择模式中,主字线解码器的第一个使得主字线对的不同的对之间的电压彼此不同,而在非选择模式中,使得主字线对的不同的对上的电压彼此相同。
搜索关键词: 具有 双字线 结构 半导体 存储 器件
【主权项】:
1.一种半导体存储器装置,它包括:多个子字线(SWL1、SWL2......);多个子字解码器SWD1、SWD2......)每一个都与所说的子字线之一相连接;多对主字线(MWLT、MWLF)、每一对与若干所说的子字线解码器相连接;以及,多个主字解码器(MWD’1),其特征在于,每一个所说的主字解码器都包括一熔断丝(5111)的熔断丝电路(511),每一个所说的主字解码器都与所说的主字线对之一连接,所说主字解码器的每一个包括一个电压设定装置,所述电压设定装置在一个选择模式中设定所说主字线对的各个对上的电压彼此互不相同,而在一非选择模式中使得所说主字线对的各个对上的电压彼此相同。
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