[发明专利]阻绝气体释放及凸出结构产生的双镶嵌方法

摘要

阻绝气体释放及凸出结构产生的双镶嵌方法，包含蚀刻抗反射层、第二低介电常数介电层、第二蚀刻停止层、第一低介电常数介电层以形成一沟渠于上述膜层之中。之后，沉积一阻障层沿着沟渠的表面以及抗反射层之上。定义一光阻图案于阻障层上表面，再使用光阻图案为蚀刻罩幕，将阻障层、抗反射层、第二低介电常数介电层进行蚀刻，直到抵达第二蚀刻停止层为止以形成一开口。之后以干蚀刻去除水平表面上的阻障层，一并去除沟渠底部的第一蚀刻停止层。一阻障层先行沉积于沟渠以及开口的表面，一导电层接着形成在阻障层上和回填于开口和沟渠内。此导电层一部分被化学机械研磨移除以达到平坦化，使得在沟渠的两侧壁面的粗糙面获得改善并消除凸起结构。

主权项

1.一种阻绝气体释放及凸出结构产生的双镶嵌方法，其特征在于，该方法包含：形成第一蚀刻停止层于晶圆之上；形成第一介电层于该第一蚀刻停止层上；形成第二蚀刻停止层于该第一介电层上；形成第二介电层于该第二蚀刻停止层上；形成抗反射层于该第二介电层上；形成沟渠于上述抗反射层、第二介电层、第二蚀刻停止层以及第一介电层之中；形成一金属阻障层于上述沟渠的表面以及该抗反射层之上；形成一开口于该金属阻障层、该抗反射层、第二介电层之中；以非等向性蚀刻制程蚀刻该金属阻障层，使其残留于该沟渠的表面；形成金属材质于上述第二蚀刻停止层及回填于该沟渠、开口以利于制作双镶嵌；及研磨该金属材质以形成双镶嵌结构。