[发明专利]具有浅源极/漏极结区的MOS晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 02105733.8 | 申请日： | 2002-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1421908A | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李诚宰;赵元珠;朴京完 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波,侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造具有浅源极/漏极结区的MOS晶体管的方法。扩散源层形成在其上形成有栅极构图的半导体衬底上。在不同方向上多次将相同类型的或不同类型的杂质注入到扩散源层内。结果，不发生位错，且扩散源层的杂质浓度可得以非均匀控制，使得对半导体衬底晶体结构的损伤不发生。此外，非均匀包含在扩散源层内的杂质通过固相扩散法扩散到半导体衬底内，以通过自对准法形成具有轻度掺杂漏极区和高度掺杂源极/漏极区的浅源极/漏极结区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 浅源极 漏极结区 mos 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造MOS晶体管的方法，包括：在半导体衬底上形成栅极构图；在半导体衬底的整个表面上形成扩散源层；在不同的方向上，多次将相同类型的或不同类型的杂质注入到扩散源层内，使得扩散源层在栅极构图和半导体衬底上表面上的部分的杂质浓度因遮蔽效应而高于扩散源层在栅极构图侧壁上的部分的杂质浓度；以及通过固相扩散法扩散包含在扩散源层内的杂质到半导体衬底内，以通过自对准方法形成浅源极/漏极结区，该结区具有在栅极构图的侧壁下方的轻度掺杂漏极区和高度掺杂的源极/漏极区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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