[发明专利]应用于半导体晶片的双封闭护环结构有效
| 申请号： | 02106072.X | 申请日： | 2002-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1450632A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 陈胜雄;蔡明兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/58;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为一种应用于半导体晶片的双封闭护环结构，至少包含：半导体晶片，其内部包含元件及内部电路；复数层介电层，位于上述半导体晶片之上；可防止水气、氧气侵入的内侧封闭护环，位于该复数层介电层中，并位于该半导体晶片的外缘区域，封闭环绕上述元件及内部电路；于晶片切割时阻挡外部应力以避免内部晶片结构被破坏的外侧封闭护环，位于该复数层介电层中，并位于该内侧封闭护环的外侧。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 半导体 晶片 封闭 结构 | ||
【主权项】：
1.一种应用于半导体晶片的双封闭护环结构，其特征是：至少包含：半导体晶片，其内部包含元件及内部电路；复数层介电层，位于上述半导体晶片之上；可防止水气、氧气侵入的内侧封闭护环，位于该复数层介电层中，并位于该半导体晶片的外缘区域，封闭环绕上述元件及内部电路；于晶片切割时阻挡外部应力以避免内部晶片结构被破坏的外侧封闭护环，位于该复数层介电层中，并位于该内侧封闭护环的外侧。
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