[发明专利]沟道式代码注入的掩模只读存储器的制作方法

摘要

一种沟道式代码注入的掩模只读存储器的制作方法，半导体衬底的表面上含多个沿第1方向延伸的长方条结构，两相邻长方条结构间开口下方的半导体衬底内部包含沿第1方向延伸的沟道；两相邻长方条结构之间开口内形成沿第1方向延伸的介电层，使介电层填满沟道；将沿第2方向延伸的字符线预定图案处的介电层去除，使残留的介电层形成多个数组的柱形体，其中两相邻长方条结构、残留的介电层以及沟道定义出多个预定代码开口区；在半导体衬底的整个表面形成第1代码光致抗蚀剂层，其包含第1实际代码开口区，露出预备进行第一离子注入过程的预定代码开口区；进行第1离子注入过程，对暴露的预定代码开口区沟道的侧壁进行编码；去除第1代码光致抗蚀剂层。

主权项

1.一种沟道式代码注入的掩模只读存储器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体衬底，该半导体衬底的表面上包含有多个沿一第一方向延伸的长方条结构，且该两相邻长方条结构之间开口下方的该半导体衬底内部包含有一沿该第一方向延伸的沟道；于该两相邻长方条结构之间开口内形成沿该第一方向延伸的介电层，且使该介电层填满该沟道；将沿一第二方向延伸的字符线预定图案处的该介电层去除，以使该残留的介电层形成多个数组的柱形体，其中该两相邻长方条结构、该残留的介电层以及该沟道定义出多个预定代码开口区；于该半导体衬底的整个表面上形成一第一代码光致抗蚀剂层，其包含有一第一实际代码开口区，暴露出一预备进行第一离子注入过程的预定代码开口区；进行第一离子注入过程，对该暴露的预定代码开口区的沟道的一侧壁进行编码；去除该第一代码光致抗蚀剂层；于该半导体衬底的整个表面上形成一第二代码光致抗蚀剂层，其包含有一第二实际代码开口区，暴露出一预备进行第二离子注入过程的预定代码开口区；进行第二离子注入过程，对该暴露的预定代码开口区的沟道的一侧壁进行编码；以及去除该第二代码光致抗蚀剂层；其中该第一、第二离子注入过程均为倾角的离子注入，且第一、第二离子注入过程的倾角方向不同。