[发明专利]双向过电压与静电放电防护装置无效
申请号: | 02106160.2 | 申请日: | 2002-04-05 |
公开(公告)号: | CN1450638A | 公开(公告)日: | 2003-10-22 |
发明(设计)人: | 陈伟梵 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L23/62;H01L27/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 潘培坤,陈红 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种双向过电压与静电放电防护装置,用于一输出/输入端。其包括P型半导体层、第一N型导电层、第二N型导电层、第一P型掺杂区、第一N型掺杂区、第二P型掺杂区及第二N型掺杂区。第一N型导电层及第二N型导电层分开地设于P型半导体层的表面。第一P型掺杂区以及第一N型掺杂区均设于第一N型导电层的表面。第二P型掺杂区及第二N型掺杂区均设于第二N型导电层的表面。第一N掺杂区是耦合至一输出输入端接合焊垫,第二N掺杂区是耦合至一电源线。不论正或负电压的信号均以通过该输出输入端接合焊垫传送。当输出输入端接合焊垫上的电压超过一定范围时,双向防护装置便导通而释放应力,保护一内部电路。 | ||
搜索关键词: | 双向 过电压 静电 放电 防护 装置 | ||
【主权项】:
1.一种双向过电压与静电放电防护装置,适用于一输出输入端接合焊垫,其特征在于,包括有:一NPN双接面电晶体,具有一基极、一第一射/集极以及一第二射/集极;一第一PNP双接面电晶体;以及一第二PNP双接面电晶体;其中,该NPN双接面电晶体的该基极与该第一PNP双接面电晶体的一集极以及该第二PNP双接面电晶体的一集极相连接;该第一PNP双接面电晶体的一基极与该NPN双接面电晶体的该第一射/集极是以一第一N型导电层所构成,且该第一N型导电层耦合至该输出输入端接合焊垫;以及该第二PNP双接面电晶体的一基极与该NPN双接面电晶体的该第二射/集极是以一第二N型导电层所构成,且该第一N型导电层耦合至一电源线。
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