[发明专利]SOI金氧半场效电晶体有效
| 申请号： | 02106276.5 | 申请日： | 2002-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1450655A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 苏哿暐;何肇康;杨富量;詹宜陵 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种SOI金氧半场效电晶体，其包含一半导体基板、一层埋层氧化矽层、一矽层，并包含复数个浅渠沟隔绝区域、一母体、一源极、一汲极、与一母体接触窗区域，其皆位于所述矽层中，其中所述母体接触窗区域位于所述源极的同一侧并且与所述通道区域分离。本发明的电晶体更包含一层闸极氧化矽层、一复晶矽闸极与一分支复晶矽层，所述分支复晶矽层系与所述复晶矽闸极呈T形连接，其延伸经过所述源极并超过所述母体接触窗区域。本发明的电晶体更包含一闸极接触窗，所述闸极接触窗系位于所述复晶矽闸极的延伸线上并连接至所述复晶矽闸极。 | ||
| 搜索关键词： | soi 半场 电晶体 | ||
【主权项】：
1.一种SOI金氧半场效电晶体，其包含：一半导体基板、一层埋层氧化矽层、一矽层、与复数个浅渠沟隔绝区域，其中所述埋层氧化矽层系位于所述半导体基板表面上，所述矽层系位于所述埋层氧化矽层之上，所述浅渠沟隔绝区域系位于所述矽层中；一母体、一源极、一汲极、与一母体接触窗区域，其皆位于所述矽层中，其中所述源极与汲极之间包含一通道区域，其中所述母体接触窗区域位于所述源极的同一侧并且与所述通道区域分离；一层闸极氧化矽层，其中所述闸极氧化矽层系位于所述母体上方；一复晶矽闸极与一分支复晶矽层，其皆在所述闸极氧化矽层之上方，其中所述复晶矽闸极系位于所述通道区域的上方，所述分支复晶矽层系与所述复晶矽闸极呈T形连接，其延伸经过所述源极并超过所述母体接触窗区域；以及一闸极接触窗，所述闸极接触窗系位于所述复晶矽闸极的延伸线上并连接至所述复晶矽闸极。
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