[发明专利]制造具有碳化硅膜的半导体器件的方法

摘要

本发明提供半导体器件制造方法，其采用可以很容易地去除蚀刻阻止膜或碳化硅制成的硬掩膜的工艺。具体地，在半导体衬底上形成第一膜，该第一膜由蚀刻抗力不同于碳化硅的绝缘材料制成。在第一膜上形成由加氢的碳化硅制成的第二膜。在第二膜上形成具有开口的光刻胶膜。通过以光刻胶掩膜作为蚀刻掩膜，并使用添加SF6和NF3中的至少一个的碳氟化合物气体的混合气体对第二膜进行干蚀刻。以第二膜作为掩膜，对第一膜进行蚀刻。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包含下列步骤：在半导体衬底上形成第一膜，该第一膜由蚀刻抗力与碳化硅不同的材料制成；在第一膜上形成第二膜，该第二膜由加氢的碳化硅制成；在第二膜上形成具有开口的光刻胶膜；通过使用光刻胶掩模作为蚀刻掩模，并使用添加SF6和NF3中的至少一个的碳氟化合物气体的混合气体，对第二膜进行干蚀刻；并且使用第二膜作为掩膜对第一膜进行蚀刻。