[发明专利]化学汽相沉积装置和化学汽相沉积方法无效
| 申请号： | 02106424.5 | 申请日： | 2002-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1381872A | 公开（公告）日： | 2002-11-27 |
| 发明（设计）人： | 酒井士郎;高松勇吉;森勇次;王宏兴;石滨义康;网岛丰 | 申请（专利权）人： | 日本派欧尼股份株式会社;德岛酸素工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体膜的化学汽相沉积装置,它包括一种水平管式反应器,配有一个用于在其上安装基片的基座、用于加热该基片的加热器、原料气加入部分、和反应气体排气部分,其中该装置的结构使得与基片相对的管式反应器壁的部分由原料气通道的上游侧向下倾斜至其下游侧,这样改变气流方向为倾斜向下的方向,或使得基座与其相对的管式反应器壁之间的间隔小于在管式反应器壁中由原料气加入部分的气体加料口至基座所用原料气通道的上游侧端部的垂直间隔。本发明还公开了一种使用该装置的化学汽相沉积方法。这样,即使在大尺寸基片,或多个基片同时,或在高温下进行化学汽相沉积的情况下,可得到一种具有良好结晶度的均匀半导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体膜的化学汽相沉积装置，它包括一种水平管式反应器，配有一个用于在其上安装基片的基座、用于加热该基片的加热器、排列使得加料到管式反应器的原料气的方向与基片基本平行的原料气加入部分、和反应气体排气部分，其中该装置的结构使得与基片相对的管式反应器壁的部分由原料气通道的上游侧向下倾斜至其下游侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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