[发明专利]半导体存储元件、半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02106437.7 | 申请日： | 2002-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1407625A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 长部太郎;石井智之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供半导体存储元件、半导体装置。在要求高可靠性的半导体快速存储器中，由于必须通过将硅基板直接氧化了的氧化膜进行电子的进出，使用的电压从正到负成为大电压。与此不同，通过将电荷蓄积在多个分散的区域，能实现高可靠性。以该高可靠性为背景，不仅通过可靠性高的、将硅基板直接作成热氧化膜获得的氧化膜、而且通过用CVD法淀积的氧化膜等，能使电子移动，信息写入时及信息删除时用同一极性的电位进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 元件 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储元件，其特征在于：有源极区、漏极区，上述源极区和漏极区通过由半导体构成的沟道区连接，有由控制上述沟道区的电位的金属或半导体构成的栅极，在上述沟道区附近有多个电荷蓄积区，写入信息时加在上述栅极上的电位、和删除信息时加在上述栅极上的电位具有相同的极性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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