[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

通过使用很少数目的光掩膜,得到对于象素部分的驱动条件和驱动电路最佳的TFT(薄膜晶体管)结构。在第一绝缘薄膜上形成第一到第三半导体薄膜。在第一到第三半导体薄膜上形成第一形状的第一、第二、第三电极。在第一掺杂处理中,使用第一形状的第一、第二、第三电极作为掩膜,在第一到第三半导体薄膜中形成一种导电类型的第一浓度杂质区域。从第一形状的第一、第二、第三电极形成第二形状的第一、第二、和第三电极。在第二掺杂处理中,在第二半导体薄膜中形成与第二形状的第二电极相重叠的、一种导电类型的第二浓度杂质区域。在第二掺杂处理中,还在第一和第二半导体薄膜中形成一种导电类型的第三浓度杂质区域。在第三掺杂处理中,在第三半导体薄膜中形成具有与一种导电类型相反的另一种导电类型的、第四和第五浓度杂质区域。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在第一绝缘薄膜，第二半导体薄膜，和第三半导体薄膜上形成第一半导体薄膜，这些半导体薄膜互相分隔开；在第一半导体薄膜，第二半导体薄膜，和第三半导体薄膜上形成第二绝缘薄膜；把第一形状的第一电极形成在第一半导体薄膜附近，在第二半导体薄膜上形成第一形状的第二电极，和在第三半导体薄膜上形成第一形状的第三电极；通过使用第一形状的第一电极，第一形状的第二电极，和第一形状的第三电极作为掩膜，在第一半导体薄膜，第二半导体薄膜，和第三半导体薄膜中通过第一掺杂处理，形成一种导电类型的第一浓度杂质区域；从第一形状的第一电极，第一形状的第二电极，和第一形状的第三电极，形成第二形状的第一电极，第二形状的第二电极，和第二形状的第三电极；通过第二掺杂处理，在第二半导体薄膜中形成一种导电类型的第二浓度杂质区域，以及在第一半导体薄膜和第二半导体薄膜中形成一种导电类型的第三浓度杂质区域，第二浓度杂质区域与第二形状的第二电极相重叠；以及通过第三掺杂处理，在第三半导体薄膜中形成第四浓度杂质区域和第五浓度杂质区域，这些杂质区域具有与一种导电类型相反的另一种导电类型。