[发明专利]高抗辐射的电可擦去可编程只读存储器晶胞

摘要

一种高抗辐射的电可擦去可编程只读存储器晶胞，它包括一半导体基底、一源极、一汲极、一通道、一第一氧化层、一电荷捕捉层、一第二氧化层及一导电性闸极。此半导体基底具有一第一导电性。源极占有半导体基底的一区域及经掺杂为具有与第一导电性电性相反的一第二导电性。汲极与源极相互隔开并占有半导体基底的另一区域及经掺杂为该第二导电性。通道是位于源极与汲极的间的半导体基底中。第一氧化层具有一第一厚度，形成于通道上方。电荷捕捉层形成于第一氧化层上。第二氧化层具有一第二厚度，形成于电荷捕捉层上，其中第二厚度大于第一厚度。导电性闸极层形成于第二氧化层上。

主权项

1.一种高抗辐射的电可擦去可编程存储器晶胞，其特征在于，包括：一具有一第一导电性的半导体基底；一源极，它占有该半导体基底的一区域及经掺杂为具有与该第一导电性电性相反的一第二导电性；一汲极，它与该源极相互隔开，并占有该半导体基底的另一区域及经掺杂为该第二导电性；一通道，它位于该源极与该汲极之间的该半导体基底中；一具一第一厚度的第一氧化层，它形成于该通道上方；一电荷捕捉层，它形成于该第一氧化层上；一具一第二厚度的第二氧化层，它形成于该电荷捕捉层上，其中该第二厚度大于该第一厚度；及一导电性闸极层，它形成于该第二氧化层上。