[发明专利]形成浅沟槽隔离区的方法无效
| 申请号： | 02106759.7 | 申请日： | 2002-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1442895A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 林平伟;游曜声;王雅琳 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种形成浅沟槽隔离区的方法，其特征在于：形成一第一绝缘层于一沟槽内，其中该第一绝缘层并未填满该沟槽。然后除去部分该第一绝缘层而形成包括有残留在该沟槽底部而当作是一底部绝缘层的剩余的该第一绝缘层，并且露出位于该底部绝缘层上方的该沟槽侧壁。之后再形成一第二绝缘层填满该沟槽。因此，本发明的方法可以形成具有高深宽比且无孔洞的浅沟槽隔离区。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 沟槽 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成浅沟槽隔离区(STI)的方法，至少包含下列步骤：(a)提供一基底；(b)形成一遮蔽层于该基底表面上；(C)定义出该遮蔽层的图案，露出该基底欲形成元件隔离区的部分；(d)以该遮蔽层为罩幕，蚀刻该基底以形成沟槽；(e)形成一第一绝缘层于该遮蔽层上及该沟槽内，其中该第一绝缘层并未填满该沟槽；(f)除去部分该第一绝缘层而形成包括有残留在该沟槽底部而当作是一底部绝缘层的剩余的该第一绝缘层，并且露出位于该底部绝缘层上方的该沟槽侧壁；(g)形成一第二绝缘层填满该沟槽，并延伸至该遮蔽层上；(h)进行一平坦化制程，去除部分该第二绝缘层，并以该遮蔽层为该平坦化制程的终点；以及(i)去除该遮蔽层而形成该浅沟槽隔离区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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